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轻掺Si对高质量GaN带边发光的影响 - 第十三届全国固体薄膜学术会议.pdf

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论文《轻掺Si对高质量GaN带边发光的影响》探讨了轻度掺杂硅对GaN材料带边发光特性的影响。通过实验分析，研究发现适量的Si掺杂可以有效改善GaN的光学性能，增强带边发光强度。该研究为优化GaN基光电子器件的性能提供了理论依据和技术支持，具有重要的应用价值。

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