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本文研究了在负栅压偏置条件下AlGaN/GaN HEMTs的器件退化机制，分析了其在高电场和热效应作用下的性能变化。通过实验与模拟相结合的方法，揭示了界面态、载流子陷阱及沟道损伤等关键因素对器件稳定性的影响。研究成果为提升GaN HEMTs的可靠性与寿命提供了理论依据和技术支持。 文档为pdf格式，0.73MB，总共4页。
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- 负栅压偏置下AlGaN_GaN HEMTs的器件退化机制 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.p ...
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