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论文《氮化物半导体电子器件的若干进展》在第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议上发表，系统总结了氮化物半导体在电子器件领域的最新研究成果。文章涵盖了GaN、AlN等材料在高功率、高频器件中的应用，探讨了器件结构优化、工艺改进及性能提升等方面的关键技术。该研究对推动氮化物半导体在5G通信、电力电子和光电子等领域的应用具有重要意义。 文档为pdf格式，0.05MB，总共1页。
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- 氮化物半导体电子器件的若干进展 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf ...
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