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在Ge衬底生长的掺硅GaInP中Ge基络合物的光学性质研究 - 第十三届全国固体薄膜学术会议.pdf

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2025-12-14 16:21 | 查看全部阅读模式

论文《在Ge衬底生长的掺硅GaInP中Ge基络合物的光学性质研究》探讨了在Ge衬底上生长的掺硅GaInP材料中Ge基络合物的光学特性。通过光致发光和吸收光谱分析，研究揭示了Ge基络合物对材料光学性能的影响，为优化III-V族化合物半导体的性能提供了理论依据。

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在Ge衬底生长的掺硅GaInP中Ge基络合物的光学性质研究 - 第十三届全国固体薄膜学术会议

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络合物, 衬底, 学术会议, 固体, 薄膜

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