在立方MgO衬底上外延生长高质量的六方AlN薄膜 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

本文介绍了在立方MgO衬底上外延生长高质量六方AlN薄膜的研究。通过优化生长条件，成功获得了具有优异晶体质量的AlN薄膜。研究结果表明，该方法能够有效减少缺陷密度，提高薄膜的光学和电学性能，为高性能光电器件和微波器件的制备提供了新的途径。

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2025-12-14 16:21 上传 在立方MgO衬底上外延生长高质量的六方AlN薄膜 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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