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三相全桥电路中功率MOS管失效原因分析 - 全国第十届嵌入式系统学术会议暨技术论坛(ESTC2012).pdf

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2025-12-14 15:15 | 查看全部阅读模式

论文《三相全桥电路中功率MOS管失效原因分析》探讨了三相全桥电路中功率MOS管常见的失效模式及原因。文章通过实验与仿真分析，指出过热、电压冲击、驱动不当等因素是导致MOS管失效的主要原因。研究为提高电力电子设备的可靠性提供了理论依据和技术参考，对实际工程应用具有重要指导意义。

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三相全桥电路中功率MOS管失效原因分析 - 全国第十届嵌入式系统学术会议暨技术论坛(ESTC2012)

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