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论文《低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善》探讨了通过引入低温GaN插入层来优化AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2DEG）的特性。研究结果表明，该方法有效提高了2DEG的载流子浓度和迁移率，从而增强了器件性能。该成果为高性能氮化物半导体器件的设计提供了新思路。 文档为pdf格式，0.69MB，总共4页。
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- 低温GaN插入层对AlGaN_GaN二维电子气特性的改善 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会 ...
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