一种InGaAs_InP HBT小信号模型参数提取新方法 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

论文《一种InGaAs_InP HBT小信号模型参数提取新方法》提出了一种新的参数提取方法，用于提高InGaAs/InP异质结双极晶体管的小信号模型精度。该方法通过优化测量和分析流程，有效提升了模型的可靠性与适用性，为高性能微波器件的设计提供了理论支持和技术参考。

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2025-12-14 15:04 上传 一种InGaAs_InP HBT小信号模型参数提取新方法 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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