Si-NPA上Pt催化Ga和NH3直接反应形成GaN纳米结构生长机理研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

论文《Si-NPA上Pt催化Ga和NH3直接反应形成GaN纳米结构生长机理研究》探讨了在Si-NPA基底上，Pt作为催化剂促进Ga与NH3直接反应生成GaN纳米结构的机制。通过实验分析，揭示了催化作用对GaN纳米结构形貌、尺寸及生长方向的影响，为氮化镓纳米材料的可控合成提供了理论依据和技术支持。

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2025-12-14 14:57 上传 Si-NPA上Pt催化Ga和NH3直接反应形成GaN纳米结构生长机理研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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