SiC衬底弯曲度与GaN外延片弯曲度关系研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

本文研究了SiC衬底弯曲度与GaN外延片弯曲度之间的关系，通过实验分析了不同衬底弯曲度对GaN外延生长的影响。结果表明，SiC衬底的弯曲度直接影响GaN外延片的弯曲特性，二者存在显著的相关性。该研究为优化GaN外延生长工艺提供了理论依据，有助于提高器件性能和可靠性。

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2025-12-14 14:57 上传 SiC衬底弯曲度与GaN外延片弯曲度关系研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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