Si衬底上MOCVD外延生长GaN的导电特性研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

该论文研究了在Si衬底上通过MOCVD外延生长GaN的导电特性。通过分析不同生长条件对GaN薄膜电学性能的影响，探讨了载流子浓度、迁移率等关键参数的变化规律。结果表明，优化生长工艺可有效提高GaN的导电性能，为高性能氮化镓器件的制备提供了理论依据和技术支持。

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2025-12-14 14:57 上传 Si衬底上MOCVD外延生长GaN的导电特性研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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