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论文《Si衬底上AlGaN_GaN功率开关器件的研究》介绍了基于Si衬底的AlGaN/GaN功率开关器件的最新研究进展。文章探讨了器件结构设计、材料生长技术及性能优化方法，重点分析了其在高频、高功率应用中的潜力。研究结果表明，该类器件具有优异的电学特性与可靠性，为下一代功率电子器件的发展提供了重要参考。 文档为pdf格式，0.07MB，总共1页。
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- Si衬底上AlGaN_GaN功率开关器件的研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf ...
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