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论文《TaN薄膜与Ge接触电学性质研究》发表于第十三届全国固体薄膜学术会议，主要探讨了氮化钽（TaN）薄膜与锗（Ge）材料之间的接触电学特性。研究通过实验分析了不同工艺条件下TaN/Ge界面的电学行为，包括接触电阻、肖特基势垒高度等关键参数。该工作为TaN在半导体器件中的应用提供了理论依据和技术支持，对优化器件性能具有重要意义。 文档为pdf格式，0.76MB，总共2页。
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- TaN薄膜与Ge接触电学性质研究 - 第十三届全国固体薄膜学术会议.pdf
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