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论文《Sb基高电子迁移率晶体管外延材料生长》介绍了基于Sb的高电子迁移率晶体管（HEMT）外延材料的生长技术。文章详细探讨了材料生长工艺对器件性能的影响，分析了Sb基材料在高频和高速电子器件中的应用潜力。研究为高性能半导体器件的开发提供了理论支持和技术参考，对推动化合物半导体领域的发展具有重要意义。 文档为pdf格式，0.12MB，总共3页。
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- Sb基高电子迁移率晶体管外延材料生长 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf ...
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