Properties of MoO3 buffer layer in copper phthalocyanine film transistors - 第十三届全国固体薄膜学术会议.pdf

本文介绍了MoO3作为缓冲层在铜酞菁薄膜晶体管中的性能研究。通过实验分析了MoO3层对器件电学性能的影响，结果表明，MoO3缓冲层能够有效改善载流子注入效率，提高器件的迁移率和稳定性。该研究为有机半导体器件的优化提供了新的思路，具有重要的理论和应用价值。

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2025-12-14 14:53 上传 Properties of MoO3 buffer layer in copper phthalocyanine film transistors - 第十三届全国固体薄膜学术会议.pdf

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