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论文《Ka波段AlGaN_GaN HEMT栅结构的仿真研究》探讨了用于Ka波段通信的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅结构设计。通过仿真方法分析了栅极尺寸、材料特性对器件性能的影响，旨在优化器件的高频响应与稳定性，为高性能微波器件的设计提供理论支持。 文档为pdf格式，0.21MB，总共4页。
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- Ka波段AlGaN_GaN HEMT栅结构的仿真研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf ...
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