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Ka波段AlGaN_GaN HEMT的物理模型研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2025-12-14 14:46 | 查看全部阅读模式

论文《Ka波段AlGaN_GaN HEMT的物理模型研究》探讨了用于Ka波段应用的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的物理模型。文章分析了器件结构、载流子分布及电学特性，旨在提高器件性能和可靠性。研究对高频通信和雷达系统具有重要意义，为后续器件优化提供了理论依据。

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Ka波段AlGaN_GaN HEMT的物理模型研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

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