InAs单晶衬底表面氧化层形貌与晶片表面粗糙度的关系 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2025-12-14 14:45 | 查看全部 阅读模式

本文研究了InAs单晶衬底表面氧化层的形貌与晶片表面粗糙度之间的关系。通过实验分析,发现氧化层的结构和均匀性与衬底表面的粗糙度密切相关。研究结果为优化InAs衬底的表面处理工艺提供了理论依据,对提升半导体器件性能具有重要意义。

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InAs单晶衬底表面氧化层形貌与晶片表面粗糙度的关系 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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