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论文《InGaAs_InP平面型雪崩光电探测器》介绍了基于InGaAs/InP材料体系的平面型雪崩光电探测器的设计与性能研究。该器件利用半导体材料的特性,实现了高灵敏度和快速响应的光电转换功能。文章详细分析了结构设计、电场分布及雪崩增益机制,为高性能光通信和传感应用提供了理论依据和技术支持。 文档为pdf格式,0.64MB,总共3页。
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- InGaAs_InP平面型雪崩光电探测器 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf ...
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