InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)的模拟与优化 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2025-12-14 14:45 | 查看全部 阅读模式

本文介绍了基于InP的高电子迁移率晶体管(HEMT)的模拟与优化研究,针对其结构参数和性能进行了系统分析。通过仿真手段优化器件设计,提升了电子迁移率和电流特性。该研究为高性能微波器件的开发提供了理论支持和技术参考,对推动化合物半导体器件的应用具有重要意义。

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InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)的模拟与优化 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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