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GaN_Si纳米孔柱阵列的制备及研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2025-12-14 14:42 | 查看全部阅读模式

论文《GaN_Si纳米孔柱阵列的制备及研究》介绍了通过特定工艺在Si基底上制备GaN纳米孔柱阵列的方法。该研究探讨了阵列结构对材料性能的影响，为光电器件和微波器件的应用提供了新思路。研究结果表明，该结构具有良好的光电特性，有望在新型半导体器件中得到应用。

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GaN_Si纳米孔柱阵列的制备及研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

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器件, 学术会议, 阵列, 化合物, 纳米

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