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退火前预处理对半绝缘砷化镓晶片光电性能的影响 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2025-12-14 20:23 | 查看全部阅读模式

本文研究了退火前预处理对半绝缘砷化镓晶片光电性能的影响。通过不同预处理方法，分析其对材料电学和光学特性的影响，结果表明适当的预处理可显著改善晶片的光电性能，为提高器件性能提供了有效途径。

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退火前预处理对半绝缘砷化镓晶片光电性能的影响 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

2025-12-14 20:26 上传

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光电, 器件, 学术会议, 晶片, 化合物

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