本文介绍了GaN_Si纳米异质结构阵列的制备方法及其光电特性研究。通过先进的纳米加工技术，在硅基底上成功制备了GaN纳米结构阵列，并对其光学和电学性能进行了系统测试。研究结果表明，该结构具有优异的光致发光特性及良好的光电响应性能，为新型光电器件的发展提供了新的思路和实验基础。
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