本文介绍了基于Al2O3栅介质层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件的制备与电学特性研究。通过优化栅介质层工艺，提升了器件性能。实验结果表明，该器件具有良好的直流和射频特性，展现出在高频功率应用中的潜力。
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