本文介绍了AlSb_InAsxSb1-x高电子迁移率晶体管外延材料的生长研究,针对半导体器件性能提升的需求,探讨了该材料在微波器件和光电器件中的应用前景。通过优化生长条件,实现了高质量外延层的制备,为高性能晶体管的开发提供了基础支持。
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