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退火对SiGe弛豫衬底热稳定性的影响 - 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会.pdf

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2025-12-14 09:40 | 查看全部阅读模式

该论文研究了退火处理对SiGe弛豫衬底热稳定性的影响。通过实验分析发现，退火工艺能够有效改善SiGe薄膜的结构质量，提高其热稳定性。研究结果表明，在适当温度下进行退火，可减少缺陷密度，增强材料的热力学性能，为SiGe基光电子器件的应用提供了理论支持。

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退火对SiGe弛豫衬底热稳定性的影响 - 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

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衬底, 热稳定性, 光电子, 研讨会, 器件

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