论文《薄栅氧损伤机理研究》探讨了在半导体器件中薄栅氧化层的损伤机制，分析了其对器件性能的影响。该研究通过实验与理论分析相结合的方法，揭示了电场、热效应及离子注入等因素对栅氧层的破坏过程。研究成果为提高半导体器件的可靠性和稳定性提供了理论依据，具有重要的工程应用价值。
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