用MOCVD生长的高Al成分AlInGaN的结构和发光性质 - 2011年全国半导体光源系统学术年会.pdf

该论文介绍了通过MOCVD技术生长的高Al成分AlInGaN材料的结构和发光性质。研究分析了材料的晶体质量、成分分布及其光学特性，探讨了高Al含量对发光效率的影响。结果表明，优化生长条件可获得高质量的AlInGaN薄膜，为紫外LED和激光器的发展提供了重要参考。

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2025-12-14 10:56 上传 用MOCVD生长的高Al成分AlInGaN的结构和发光性质 - 2011年全国半导体光源系统学术年会.pdf

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