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线性兼容CMOS工艺中耗尽型NJFET的设计与优化 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2025-12-14 08:52 | 查看全部阅读模式

本文介绍了基于线性兼容CMOS工艺设计与优化耗尽型NJFET的方法。通过结构优化和工艺参数调整，提升了器件的性能与稳定性。研究旨在实现NJFET与CMOS工艺的兼容，为混合信号集成电路提供更高效的解决方案。

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线性兼容CMOS工艺中耗尽型NJFET的设计与优化 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

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