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硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究 - 2011全国光电子与量子电子学技术大会.pdf

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论文《硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究》探讨了基于硅衬底的GaN单量子阱绿光LED的量子效率问题。研究通过实验分析了材料生长条件、结构设计对发光性能的影响，旨在提高绿光LED的内量子效率和外量子效率。该工作对推动硅基GaN光电子器件的发展具有重要意义。

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硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究 - 2011全国光电子与量子电子学技术大会

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量子, 衬底, 电子学, 光电子, 效率

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