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经电子束辐照诱生硅中位错及其电致发光的研究 - 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会.pdf

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2025-12-14 08:53 | 查看全部阅读模式

该论文研究了电子束辐照在硅中诱生位错及其电致发光现象。通过电子束照射，成功在硅材料中引入位错结构，并观察到其在电场作用下的发光特性。研究结果表明，位错的形成与分布对硅的发光性能有显著影响，为硅基光电子器件的发展提供了新的思路。

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经电子束辐照诱生硅中位错及其电致发光的研究 - 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

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电子束, 光电子, 研讨会, 器件, 材料

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