硅基低位错密度锗薄膜的RPCVD外延生长 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2025-12-14 08:33 | 查看全部 阅读模式

论文《硅基低位错密度锗薄膜的RPCVD外延生长》介绍了通过快速等离子体化学气相沉积(RPCVD)技术在硅基底上生长低位错密度的锗薄膜。研究探讨了生长参数对薄膜质量的影响,旨在提高锗薄膜的晶体质量,为高性能电子器件提供优质材料基础。该成果对半导体器件的性能提升具有重要意义。

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硅基低位错密度锗薄膜的RPCVD外延生长 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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