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论文《氧化层厚度对NPN双极晶体管辐射损伤的影响》探讨了氧化层厚度在辐射环境下对NPN双极晶体管性能的影响。研究通过实验分析不同氧化层厚度的器件在辐射照射后的电学特性变化，揭示了氧化层对载流子迁移和界面态密度的调控作用。结果表明，适当增加氧化层厚度可有效降低辐射损伤带来的性能退化，为提高半导体器件的抗辐射能力提供了理论依据和技术参考。 文档为pdf格式，0.29MB，总共4页。
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- 氧化层厚度对NPN双极晶体管辐射损伤的影响 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf ...
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