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斜四边形GaN基LED器件光提取效率分析 - 第八届中国国际半导体照明论坛.pdf

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论文《斜四边形GaN基LED器件光提取效率分析》针对LED器件的光提取效率进行了深入研究，提出采用斜四边形结构以提高光输出。通过仿真与实验分析，验证了该结构在改善光子逃逸概率方面的有效性，为提升GaN基LED性能提供了新思路，具有重要的理论和应用价值。

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