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该论文探讨了平坦化技术在微波功率SiC MESFET工艺中的应用。通过优化器件结构和工艺流程，提高了器件的性能和可靠性。平坦化技术有效改善了表面形貌，降低了寄生效应，提升了微波性能。研究为SiC器件的高频率、高功率应用提供了技术支持，对半导体器件产业发展具有重要意义。 文档为pdf格式，0.09MB，总共1页。
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- 平坦化技术在微波功率SiC MESFET工艺中的应用 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pd ...
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