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基于双栅PMOSFET模型的硼穿通分析方法 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2025-12-14 03:50 | 查看全部阅读模式

论文《基于双栅PMOSFET模型的硼穿通分析方法》针对半导体器件中的硼穿通问题，提出了一种基于双栅PMOSFET模型的分析方法。该方法通过建立精确的物理模型，有效模拟和分析了硼离子在沟道区域的扩散行为，为优化器件设计和提高性能提供了理论依据。研究结果对提升CMOS工艺的可靠性具有重要意义。

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基于双栅PMOSFET模型的硼穿通分析方法 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

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学术会议, 集成电路, 半导体, 模型, 材料

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