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本文针对Ni_Au-AlGaN肖特基接触在不同温度下的I-V特性进行研究，分析其失效机理。通过变温I-V测试，揭示了接触电阻随温度变化的规律，探讨了热载流子效应和界面缺陷对接触性能的影响。研究结果为提高AlGaN基功率器件的可靠性和稳定性提供了理论依据。 ","role":"assistant文档为pdf格式，0.34MB，总共3页。
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- 基于变温I-V法的Ni_Au-AlGaN肖特基接触失效机理研究 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf ...
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