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论文《取代基位置对含噻唑二芳烯化合物性质的影响及在光存储中的应用研究》探讨了不同取代基位置对噻唑二芳烯化合物光电性能的影响，分析了其在光存储领域的应用潜力。研究通过合成多种结构的噻唑二芳烯衍生物，系统考察了取代基位置对吸收光谱、荧光性能及光致变色行为的影响。结果表明，取代基的位置显著影响化合物的光响应特性，为设计高性能光存储材料提供了理论依据和实验支持。 文档为pdf格式，0.52MB，总共6页。
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- 取代基位置对含噻唑二芳烯化合物性质的影响及在光存储中的应用研究 - 2011先进影像材料与前沿技术学术论坛. ...
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