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《SRAM型FPGA中子辐照效应研究》是第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议的重要论文之一。该研究聚焦于SRAM型FPGA在中子辐照环境下的性能变化与可靠性问题。通过实验分析，探讨了中子辐照对器件逻辑功能、配置存储单元及电路稳定性的影响。研究结果表明，中子辐照可能导致位翻转、逻辑错误等故障，影响FPGA的正常运行。文章提出了相应的抗辐照设计策略和测试方法，为提高SRAM型FPGA在高辐射环境中的可靠性提供了理论依据和技术支持。 文档为pdf格式，0.32MB，总共3页。
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