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《PDSOI ESD防护用SCR结构研究 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》是一篇关于新型静电放电（ESD）保护结构的研究论文。文章聚焦于在PDSOI（部分绝缘体上硅）技术中应用SCR（可控硅）结构，以提高器件的ESD性能。通过分析SCR结构的工作原理与设计参数，研究者探讨了其在防止静电放电损害方面的有效性。该研究为高性能、低功耗的集成电路提供了可靠的ESD防护方案，对推动半导体技术的发展具有重要意义。 文档为pdf格式，0.51MB，总共3页。
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