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《MOS器件静电放电潜在性失效概述》是第二届电磁环境效应与防护技术学术研讨会的重要报告之一。该文系统分析了MOS器件在静电放电（ESD）作用下的失效机制，探讨了其在电磁环境中的敏感性和潜在风险。文章结合实验数据和理论模型，提出了针对MOS器件的ESD防护策略，为提高电子设备的可靠性提供了理论依据和技术支持。报告强调了在设计和制造过程中考虑静电放电效应的重要性，对推动相关领域的技术发展具有重要意义。 ","role":"assistant文档为pdf格式，0.52MB，总共4页。
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