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《CUSP磁场中CZ硅氧浓度分布的数值模拟》是第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议中的重要论文之一。该研究针对Czochralski（CZ）法生长单晶硅过程中，CUSP磁场对硅氧浓度分布的影响进行了深入的数值模拟分析。通过建立合理的物理模型和数学方程，研究者探讨了不同磁场参数对硅熔体中氧元素扩散和分布的调控作用。结果表明，CUSP磁场能够有效改善硅氧浓度的均匀性，提升单晶硅的品质。该成果为优化CZ法生长工艺提供了理论依据和技术支持，对提高半导体材料性能具有重要意义。 文档为pdf格式，0.32MB，总共3页。
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