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本文介绍了Ar流量对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响。通过调整氩气流量，研究其对薄膜结构和性能的影响。实验结果表明，适当增加Ar流量可以改善薄膜的结晶质量，提高其光电性能。同时，Ar流量的改变也影响了沉积速率和薄膜的均匀性。文章分析了不同Ar流量下微晶硅薄膜的微观结构，并探讨了其在太阳能电池等应用中的潜力。该研究为优化ECR-PECVD工艺参数提供了理论依据和技术支持。 文档为pdf格式，0.39MB，总共5页。
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