压接型IGBT器件内部杂散电感差异对瞬态电流分布影响规律研究

文档名：压接型IGBT器件内部杂散电感差异对瞬态电流分布影响规律研究
摘要：压接型IGBT器件内部多颗芯片的并联连接是提高其电流等级的重要手段.然而,IGBT芯片之间的瞬态电流不均衡是限制其电流提升的主要原因之一.研究压接型IGBT器件内部的瞬态电流分布规律对于规模化IGBT并联封装设计具有重要意义.该文首先通过有限元软件提取了压接型IGBT器件内部的栅极、集电极和发射极的杂散电感,得到三个杂散电感随IGBT芯片不同位置的变化规律;其次对三个杂散电感差异下的电流分布进行了理论分析,发现电流分布主要受到功率回路和驱动回路的公共支路上杂散电感的影响;同时分别对开通和关断过程中IGBT芯片内部的载流子变化过程进行分析,发现发射极杂散电感差异主要影响开通过程的电流不均衡;然后针对三个杂散电感差异分别进行电路仿真,得到杂散电感差异对电流分布的影响规律,仿真结果验证了理论分析的有效性;最后建立了两芯片的并联均流双脉冲实验平台,平台能够调节两支路之间的杂散电感差异,实验结果进一步验证了该文理论分析的有效性.

作者：彭程  李学宝  范迦羽  赵志斌  崔翔Author：PengCheng  LiXuebao  FanJiayu  ZhaoZhibin  CuiXiang
作者单位：新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)北京102206
刊名：电工技术学报 ISTICEIPKU
Journal：TransactionsofChinaElectrotechnicalSociety
年，卷(期)：2023, 38(11)
分类号：TN307TM46
关键词：压接型IGBT器件  瞬态均流  功率回路  驱动回路  杂散电感  
机标分类号：TM464TN432TN386.2
在线出版日期：2023年6月16日
基金项目：国家自然科学基金压接型IGBT器件内部杂散电感差异对瞬态电流分布影响规律研究[
期刊论文]  电工技术学报--2023, 38(11)彭程  李学宝  范迦羽  赵志斌  崔翔压接型IGBT器件内部多颗芯片的并联连接是提高其电流等级的重要手段.然而,IGBT芯片之间的瞬态电流不均衡是限制其电流提升的主要原因之一.研究压接型IGBT器件内部的瞬态电流分布规律对于规模化IGBT并联封装设计具有重要...参考文献和引证文献
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2024-12-14 02:11 上传 压接型IGBT器件内部杂散电感差异对瞬态电流分布影响规律研究.pdf

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