文档名：斜切Si001衬底上GeSi纳米结构的可控制备
GeSi纳米结构具有空穴迁移率高,光通讯波段发光及与现有CMOS工艺相兼容等特点,其在光电子器件中具有重要的应用,如用来制作低阈值量子点激光器,单电子晶体管,探测器等.GeSi纳米结构的可控生长是实现其功能器件化的前提.然而平Si(001)衬底上获得的GeSi纳米结构具有尺寸分布不均匀且位置随机难控制的特点.因此,探寻一种简单有效的方法对GeSi纳米结构的大小,形状,分布及密度等进行调控非常重要.
作者：周通 钟振扬
作者单位：应用表面物理国家重点实验室和复旦大学物理系;山东理工大学物理与光电工程学院应用表面物理国家重点实验室和复旦大学物理系
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：
关键词：硅化锗纳米结构 可控生长 尺寸分布 硅衬底
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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