文档名：面向短波红外应用的InGaAsBi材料生长研究
通过大范围地调节In与Bi的组分,新型稀铋半导体材料InGaAsBi可在InP衬底上匹配生长,同时其理论发光波长最长能达到6微米,完全覆盖短波红外波段,因此具有广泛应用前景.将InGaAsBi作为面向短波红外应用PIN型探测器的吸收层时,要求探测器具有较低暗电流,这就要求作为有源层的InGaAsBi具有较高结晶质量.尝试在生长温度280℃，AsH3压力350Torr下通过调节Bi炉温度外延不同Bi组分的InGaAsBi。
作者：杜奔陈星佑顾溢马英杰奚苏萍张见张永刚
作者单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN2TH7
关键词：半导体材料 铟镓砷铋 外延生长 温度参数 结晶质量
在线出版日期：2019年8月12日
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