基于低势垒FMInSi磁隧道结的优化自旋注入效率和增强的SpinMOSFET信号

文档名：基于低势垒FMInSi磁隧道结的优化自旋注入效率和增强的SpinMOSFET信号
自旋电子学器件由于其有较小的单元尺寸,更低的功耗和新兴的电荷—自旋集成功能,因此可能成为超越摩尔定律物理极限的下一代电子器件.在众多半导体中,在硅上实现自旋电子学具有重要意义,因为硅是半导体行业中应用最普遍的材料,且成熟的硅工艺可以大大促进自旋电子器件的制备和大规模应用.应用格点非平衡格林函数方法，建立了可考虑任意隧道和肖特基势垒的输运模型，并且通过n-Si中温度依赖的费米能级和费米迪拉克分布，统一描述了热电子发射和隧道输运过程。应用此方法，计算了在不同势垒材料下FM/I/n-Si隧道接触的有效接触电阻、注入电流的自旋极化率、接触电阻的自旋不对称系数，以及垂直构型的自旋金属-氧化层-半导体场效应晶体管结构的磁阻比率。
作者：李俊 杨阳 吴振华 杨文 李成 陈松岩
作者单位：厦门大学物理科学与技术学院物理系半导体光子学中心,福建厦门361005中国科学院微电子研究所微电子与集成技术重点实验室,北京100029北京计算科学研究中心,北京100089
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会  
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：TN3TP3
关键词：自旋电子学器件  格点非平衡格林函数  热电子发射  隧道输运过程  磁阻比率
在线出版日期：2020年6月22日
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