基于氮、氧修饰的高密度硅量子点的近红外光发射调控与光增益特性

文档名：基于氮、氧修饰的高密度硅量子点的近红外光发射调控与光增益特性
利用PECVD技术构建镶嵌于SiOxNy基质的高密度硅量子点,通过调节SiOxNy基质中的O与N的含量,调控硅量子点的表面态,研究其近红外发光特性.研究表明,N含量的适当增加有利于提高硅量子点表面O-Si-N相关表面态,进而极大增强硅量子点的近红外光发射强度,其光发射效率可提高1个数量级以上.
作者：林泽文 林圳旭 黄锐 张毅 宋捷 李红亮 徐骏 陈坤基
作者单位：韩山师范学院材料科学与工程学院,广东潮州,521041;南京大学电子科学与工程学院,江苏南京,210093韩山师范学院材料科学与工程学院,广东潮州,521041南京大学电子科学与工程学院,江苏南京,210093
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会  
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：TN3TB4
关键词：高密度硅量子点  氮修饰  氧修饰  近红外光发射调控  光增益特性
在线出版日期：2020年6月22日
基金项目：
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