硅晶体定向凝固生长中位错的形核机制——分子动力学模拟观察

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文档名:硅晶体定向凝固生长中位错的形核机制——分子动力学模拟观察
文章介绍了晶体硅中的位错及其影响,阐述了硅晶体凝固生长的分子动力学计算模拟,分析了位错出现概率的"统计"结果,探究了位错的形核机制。
作者:周耐根周浪
作者单位:南昌大学光伏研究院
母体文献:第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会论文集
会议名称:第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会  
会议时间:2017年11月16日
会议地点:徐州
主办单位:中国可再生能源学会,上海市太阳能学会
语种:chi
分类号:TG1TN3
关键词:晶体硅材料  凝固生长  位错密度  形核机制  分子动力学
在线出版日期:2018年10月31日
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