文档名：高电导掺硼富硅碳化硅薄膜的光电特性研究
包含有纳米硅颗粒的富硅碳化硅(nc-Si/SiCx)薄膜由于其带隙可调等诸多特性,在硅基光电器件中有着很好的应用前景.已有报道指出,由于硼掺杂的nc-Si/SiCx材料具有较宽的带隙(～2.2eV)和较高的电导率(～10-3S/cm),可以将其作为n-i-p结构非晶硅太阳能电池的窗口层,提高了电池的开路电压和短波长波段的外量子效率1，在本文工作中，制备了掺硼的非晶富硅碳化硅薄膜，并通过900℃高温退火形成了硼掺杂的nc-Six/SiC。薄膜，研究了不同的组分比和掺杂浓度对材料光电性质的影响。在高温退火以后，样品的带隙从~1.8eV提高到了~2.3eV，这可以归因于退火后样品中Si-C键以及Si-0键浓度的大幅提高。而掺杂硼原子浓度的改变对带隙的影响较小。由于nc-Si的形成和硼原子的激活，退火后样品的暗电导率有8个数量级的提高，最高达到了91S/cm。随着薄膜中碳含量的增加，退火后样品的霍尔迁移率、载流子浓度以及暗电导率都呈下降趋势。
作者：季阳单丹翟颖颖徐骏李伟陈坤基
作者单位：南京大学电子科学与工程学院,固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093
母体文献：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文集
会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
会议时间：2017年5月25日
会议地点：厦门
主办单位：厦门大学,浙江大学
语种：chi
分类号：TG1TN3
关键词：非晶富硅碳化硅薄膜 硼掺杂 制备工艺 光电特性
在线出版日期：2020年6月22日
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